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                bainaben

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              7. HVSW系列高压驱动
              8. RTP晶体

                        磷酸钛氧铷(RbTiOPO4)是KTP同构晶体。RTP晶体透光≡波段350-4500nm, 具有较高的介电常数(ε=11)和电阻率(约1011-1012Ω·cm),较高的激▲光损伤阈值(KTP晶体的1.8倍)和▂极低的压电振铃效应,很适用于激光的电光调制,包括Q开关、电光快门、相位调制器、选脉冲器 (Pulse Picker)腔倒空器等々<。
                 
                        RTP是双轴晶体,为消除环境温度变化对折射率的影响,RTP电光器件通常采用两块长度和性能参数一致的晶体,光轴彼︼此垂直配对使用。这样的双晶结构器件可以在-50℃-+70℃环境√中稳定工作 (但需保持两块晶体的温场一致)。同时,双晶串联使器件的调制电压进◢一步减半,使其更加适用于军用激光测照器和医疗激光ξ器。
                 

                    我公司RTP晶体电光调制※器件的主要优势:

                1. Raicol公司从1995年开始批量生产RTP晶体电光器件,独特的熔Ψ盐提拉法生长技术和日益扩大的产能保证了优质充足的原晶储备,器件通光面可达15x15mm2,晶体内部质量∑均匀,消光比高;
                2. 领先的加工和镀膜技术,器件透过率◣高,插入损耗小,膜层损↑伤阈值高;
                3. 极低的压电振铃效应,调∞制频率可达1MHz,配套各种高压驱动,支』持高频运转。

                 

                RTP原晶和成型坯料
                 
                RTP晶体电光调制器件
                 
                我公司RTP晶体电光调制器件的标准规格:
                 
                1. 通光口径:2x2mm2- 15×15mm², 有效通光孔径85%
                2. 器件对应用波长透过率> 98.5%
                3. 消光比>23 dB,安装㊣ 调节角度(水平+俯仰)<1.5°
                4. 调制电压误差★:±10%
                  *部分△典型器件半波电压的理论值(@1064nm 室温):
                  15×15×25(10+10)mm³ 6000V  10×10×25(10+10)mm³ 4000V
                  8×8×25(10+10)mm³ 3200V      6×6×25(10+10)mm³,2400V
                  4×4×25(10+10)mm³,1600V     3×3×25(10+10)mm³  1000V
                  3×3×30 mm³ 660V (单片晶体使用,需温控)
                5. 晶体端面☉增透膜:R <0.2% @ 使用波长
                  膜层损伤阈值 > 600 MW/cm2@ 1064nm 10ns 10Hz
                  注意:对于RTP双晶结构器件,激光强点造成的单面损伤会导致整个器件失效且无法修复。
                 

                RTP晶体电光调制器件可依使用要求订制,详情请联系我们