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                bainaben

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              7. BBO

                        偏硼酸钡(β-BaB2O4) 是我国科学家在20世纪80年代发明的非▆线性光学晶体。BBO晶体透光波段189- 3500nm(T=0%)或198-2600nm(T=50%),广泛用于钕激光二倍频(SHG)、三倍频 (THG)、四倍频(FHG)乃至◤五倍频(5HG to 213nm),也可用▆于激光参量振荡 (OPO)和参■量放大(OPA)。沿晶体Z轴切割的BBO还是性能优良的电光调制材料ㄨ。BBO晶体表面激光损伤阈值约为2.6GW/cm2@ 1064nm 10ns 10Hz,有效SHG系数约为KDP晶体的4倍。
                 
                 
                相位匹配区间
                nm
                接收角mrad·cm
                接收带宽
                nm·cm
                温度带宽
                ℃·cm
                走离角
                I类SHG1064nm
                410-3500
                Δθ= 0.95
                1.1
                30.8
                2.7°
                II类SHG1064nm
                525-3500
                Δθ= 1.27
                42.7
                3.2°
                 
                我公司提供各种切割角度和尺寸▽的BBO晶体器件,可满足绝大多数激光频率转换需要。尤其¤擅长提供厚度1mm以下的BBO晶体薄片,用于超短▲脉冲(皮秒/飞秒)激光的频率转换。
                 

                我公司BBO晶体器件的主要优█势:

                1. 历史悠久且不断改良的晶体生长工艺,晶体内部均匀度高,Δn稳定控制在低◥于10-6/cm;
                2. 部分晶体生长采用熔体提拉法,相比熔盐法生长BBO晶体,具有更高︼的紫外透过率,在190-260nm平均透过率可达82-86%;
                3. 充足的原晶储备,晶体器件通光面尺寸最大可达30×30mm²,长度可达30mm;
                  (器件最大尺寸因晶体切割角度的不同而异);
                4. 成熟的晶体加工技术,保证器件质量优质且稳定,交货迅捷;
                5. 拥有丰富的应用经验,可根据具体使用要求,推荐晶体器件设计方案,例如,提供晶体组合器件来降低BBO晶体较大走离角。
                熔体提拉法生长的BBO原晶
                 
                I类相位匹配BBO薄片, Θ=82°
                42mm x 12mm x 1.0mm
                 

                我公司BBO晶体器件标准规格:

                1. 通光面尺寸2x2mm²~30x30mm²,公差:+0/-0.1mm
                2. 最大长度28mm,公差:+0.2/-0.1mm
                  最小厚度0.05mm,公差:±0.01mm
                3. 定向精度:Δθ≤15分,Δφ≤15分
                4. 有效通光孔径 ≥90%
                5. 通光面:光洁度10/5 S/D (镀膜前),平面度λ/8 @ 633nm
                6. 透过波前畸变 λ/8 @ 633nm
                7. 平行度<20秒,侧垂<10分,边缘倒角0.1-0.2mm x 45°
                8. 镀膜:
                ①保护膜 (P-Coating,推荐):单层MgF2或SiO2膜层,可防止晶体表面潮解并一定程度提高透过率。损伤阈值 > 2 GW/cm2@ 1064nm 10ns, 10Hz。
                ②增透膜(AR Coatings):多层⌒介质膜,因使用波长、剩余反射率要求及损伤阈值要求而定。
                典型膜系:AR @ 1064nm R < 0.2%
                                AR @ 1064+532nm R < 0.2% @ 1064nm R < 0.5% @ 532nm
                损伤阈值 > 600MW/cm²@ 1064nm 10ns, 10Hz。